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2011.03.21
2014.10.08
产品名称:DDR/DDR2电源同步降压调整器,3A-LDO,缓冲基准
产品型号:FW51116
出产地:中国贵阳
FW51116DDR/DDR2电源同步降压调整器,3A-LDO,缓冲基准
概述

FW51116是我公司自行设计开发的LDO类产品。该产品与TPS51116完全兼容,可直接替换使用。FW51116是一套完整的DDR电源解决方案芯片,VDDQ电压可以是可调的(1.5V~ 3.0V)的电压或固定DDR的2.5V或DDR ii的1.8V,转换开关用于为VDDQ电源轨提供高效输出,并且具有伪固定频率和自适应准时控制。FW51116提供了两种控制模式:D-CAP模式和电流模式。D-CAP模式最简单,可提供最快的瞬态响应,不需要任何环路补偿。电流模式需要简单的环路补偿并支持陶瓷输出电容器设计。FW51116集成了高性能LDO,该LDO为VTT轨提供电源。可以更改LDO的输入以优化总功耗,并且它能够驱动或吸入3A电流。另外集成了用于VREF的缓冲基准电源轨。此输出能够支持10mA的满负载。TPS51116集成了全面的S3和S4/S5状态控制。轻松地将这些引脚连接至S3和S4/S5信号就可以在S3中支持high-Z并在S4和S5中支持软启动关闭。产品采用20线HTSSOP型带热沉(PowerPAD)塑料封装。


原理图
 
特点
u   输入电压从3V到28V
u  有100ns负载突变响应的d-cap模式
u  VTT和VREF的精度达到±20mv
u  睡眠模式操作,用于输出放电时可选择关闭软起动
u  VTT仅需要2x10μF的陶瓷输出电容
u  具有热关断,功率良好,过压保护和欠压保护功能
u  和DDR和DDRII jedec规范兼容。
绝对最大额定值
输入电压范围
VBST
-0.3
+36
V
VBST wrt LL
-0.3
+6
CS,MODE,S3,S5,VTTSNS,VDDQSNS,V5IN,VLDOIN,VDDQSET
-0.3
+6
PGND,VTTGND
-0.3
+0.3
输出电压范围
DRVH
-1.0
+36
V
LL
-1.O
+30
COMP,DRVL,PGOOD,VTT,VTTREF
-0.3
6
工作环境温度范围
TA
-40
85
贮存温度范围
Tstg
-55~+150
推荐工作条件
项目
符号
最小
最大
单位
电源电压
VV5IN
4.75
5.25
V
电压范围
VVBST、VDRVH
-0.1
34
V
VVLDOIN、VVTT、VVTTSNS VVDDQSNS
-0.1
3.6
VVTTREF
-0.1
1.8
VPGND、VVTTGND
-0.1
0.1
VLL
-0.6
28
VS3、VS5、VMODE、VVDDQSET、VCS、VCOMP、VPGOOD、VDRVL
-0.1
5.25
工作环境温度
TA
-55
125
存贮温度
Tstg
-60
150
主要电参数特性
参数
符号
测试条件
除另有规定外,VV5IN =+5V,VLDOIN与VDDQ输出连接,
-55℃≤TA≤+125℃
A组分组
极限值
单位
最小
最大
输出电压
VTTSNS
VS3=VS5=5V,VVLDOIN=VVDDQSNS=2.5V
1, 2,3
1.25(TYP)
V
VS3=VS5=5V,VVLDOIN=VVDDQSNS=1.8V
1, 2,3
0.9(TYP)
输出电压精度
VVTTTOL25
VS3=VS5=5V,│IVTT│=0A<3A
1
-40
40
mV
2,3
-50
50
VVTTTOL18
VS3=VS5=5V,│IVTT│=0A<2A
1
-40
40
mV
2,3
-50
50
功耗
PD
VS3=VS5=5V,COMP接电容,空载
1
--
2.53
W
2,3
--
3.0
输出电流(源)
IVTTTOCLSRC
VVLDOIN=VVDDQSNS=2.5V,VVTT=VVTTSNS=1.19V,PGOOD=HI
4
3.0
--
A
输出电流(沉)
IVTTTOCLSNK
VVLDOIN=VVDDQSNS=2.5V,VVTT=VVTTSNS=1.31V,PGOOD=HI
4
3.0
6.0
A
引脚排列
管脚
I/O
描述
NAME
NO.
COMP
8
I/O
相位补偿的跨导放大器的输出。连接到V5IN管脚通用放大器和使用D-CAP?模式
CS
15
I/O
电阻电流检测系统的电流检测比较器输入。
DRVH
19
O
开关(上)MOSFET栅极驱动输出
DRVL
17
O
整流(下)MOSFET栅极驱动输出
GND
5
-
信号地。连接到VTT LDO输出电容的负端
LL
18
I/O
开关(上)MOSFET的栅极驱动器回路。电流检测比较器输入(-)的RDS(on)的电流检测。
MODE
6
I
放电模式设定管脚。观测VDDQ和VTT放电控制部分
PGND
16
-
整流(下)MOSFET的栅极驱动器接地。也是电流检测比较器输入(+)。
PGOOD
13
O
电源良好信号开漏输出,在高电平时,输出电压VDDQ在的目标范围内。
S3
11
I
S3信号输入
S5
12
I
S5信号输入
V5IN
14
I
明升5V电源电压输入
VBST
20
I/O
开关(上)MOSFET驱动辅助电压输入
VDDQSET
10
I
VDDQ电压设置输出引脚。观察VDDQ电压的输出电压选择部分。
VDDQSNS
9
I/O
VDDQ参考VTT和VTTREF的输入,为VTTREF提供电源。
VLDOIN
1
I
LDO电源输入
VTT
2
O
LDO电源输出
VTTGND
3
-
VTT LDO电源输出地
VTTREF
7
O
VTTREF 缓冲参考输出
VTTSNS
4
I
VTT LDO电感输入,连接VTT LDO输出电容的正端
典型工作特性曲线
  
典型应用线路
DDRII电源管理典型应用
D-CAP? 模式应用
符号
参数
作用
编号
R1
5.1 k?
-
-
R2
100 k?
-
-
R3
(100 ?VVDDQ - 75) k?
-
-
R4
75 k??
-
-
M1
30 V, 13 m?
International Rectifier
IRF7821
M2
30 V, 5 m?
International Rectifier
IRF7832
电流模式应用
符号
参数
作用
编号
R0
6 m?,1%
Vishay
WSL-2521 0.006
R2
100 k?
-
-
M0
30 V, 13 m?
International
Rectifier
M1
30 V, 5 m?
International
Rectifier
设计使用说明
1. LL节点连接开关MOSFET的源极、整流MOSFET的漏极和电感器的高压侧的引线应尽可能的短和宽。
2.如果在LL电压波形观察到高频浪涌的情况下,可以考虑在LL和PGND之间的增加一个小的由3 Ω电阻和1 nF电容组成的缓冲明升。
3.所有敏感的模拟信号线,如VDDQSNS、VTTSNS和CS应放置在远离高压开关节点,如LL、DRVL和DRVH节点,以避免耦合。
4.VLDOIN应用短而宽的引线连接到VDDQ输出。如果不同的功率源用于VLDOIN ,输入旁路电容尽量靠近引脚并使用短而宽引线连接。
VTT的输出电容应靠近引脚并使用短而宽的引线连接,以避免产生额外ESR和 ESL 。
VTTSNS应连接到VTT的输出电容的正端,强烈建议避免额外ESR和/或ESL 。如果需要感测该负载点的电压,则建议在该点连接输出电容。此外,它是建议尽量减少输出电容GND引脚之间任何额外ESR和ESL 。
VTT输出电容的ESR大于2mΩ的情况下可以考虑在VTTSNS引脚加入低通滤波器 。
VDDQSNS可以单独和VLDOIN连接。请记住,这个感应电势是
VTTREF参考电压。避免任何产生噪音的线路。
VTT输出电容负端和VTTREF电容的负端接在一起,以避免
VTT源/漏电流的高电流通路的公共阻抗。
GND(信号地)引脚节点表示参考电位VTTREF和VTT输出。连接GND到VTT电容、VTTREF电容和VDDQ电容的负端以避免额外ESR和 ESL产生 。 GND和PGND (电源地)应在一点连接。
为了有效地将热量从封装中导出,需准备一个热平面并将其焊在封装的热层上。将元件边缘铜层的宽引线连接在这个热层上,可有效帮助热量传输。热层通过数个直径0.33mm的通孔和内部/焊接端地线连接,这也对散热具有相当的帮助。
外形尺寸
技术支持:智政科技